PERFORMINIATURIZATION* ERMÖGLICHEN

Silizium-Interposer

Baugruppe

Siliziumkondensator

Verbesserte Q-Induktoren

Hochkapazitätskondesatoren

Widerstände

ULTRAMINIATURISIERTE passive Siliziumbauelemente mit HOHER LEISTUNGSFÄHIGKEIT, HERVORAGENDER STABILITÄT und LANGFRISTIGER ZUVERLÄSSIGKEIT.

  • Bis zu zehn passive Funktionen in einem Silikonbaustein.
  • Kapazitätsintegration bis zu 500 nF/mm².
  • Ultradünne passive Bauelementprofile bis auf 30um.
  • Hervorragende elektrische Leistungen: bis zu 60 GHz Bandbreite, niedrige ESR-/ESL-Werte.
  • Extreme Betriebsbedingungen bis zu 250°C.
  • 100 Mal höhere Zuverlässigkeit als alternative Technologien.

Passiv integriertes Trägersubstrat (PICS)

*PerforMiniaturization: Prozess der Miniaturisierung und Optimierung der Leiterplattenleistungen.

Innovative
Technologie

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